Тип продуктов : | TK33S10N1Z,LQ |
---|---|
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание : | MOSFET N-CH 100V 33A DPAK |
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 38766 pcs |
Спецификация | TK33S10N1Z,LQ.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | DPAK+ |
Серии | U-MOSVIII-H |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7 mOhm @ 16.5A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 125W (Tc) |
упаковка | Cut Tape (CT) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Другие названия | TK33S10N1ZLQCT |
Рабочая Температура | 175°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2050pF @ 10V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 28nC @ 10V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100V |
Подробное описание | N-Channel 100V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+ |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 33A (Ta) |