Тип продуктов : | TK32E12N1,S1X |
---|---|
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание : | MOSFET N CH 120V 60A TO-220 |
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 44207 pcs |
Спецификация | TK32E12N1,S1X.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220 |
Серии | U-MOSVIII-H |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.8 mOhm @ 16A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 98W (Tc) |
упаковка | Tube |
Упаковка / | TO-220-3 |
Другие названия | TK32E12N1,S1X(S TK32E12N1S1X |
Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2000pF @ 60V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 120V |
Подробное описание | N-Channel 120V 60A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220 |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 60A (Tc) |