| Тип продуктов : | TK65S04N1L,LQ |
|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Описание : | MOSFET N-CH 40V 65A DPAK |
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 35606 pcs |
| Спецификация | TK65S04N1L,LQ.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 300µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | DPAK+ |
| Серии | U-MOSVIII-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 32.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 107W (Tc) |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Другие названия | TK65S04N1L,LQ(O TK65S04N1LLQTR |
| Рабочая Температура | 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2550pF @ 10V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40V |
| Подробное описание | N-Channel 40V 65A (Ta) 107W (Tc) Surface Mount DPAK+ |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 65A (Ta) |
