| Тип продуктов : | TK50P04M1(T6RSS-Q) |
|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Описание : | MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3 |
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 75341 pcs |
| Спецификация | TK50P04M1(T6RSS-Q).pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.3V @ 500µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | DP |
| Серии | U-MOSVI-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7 mOhm @ 25A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 60W (Tc) |
| упаковка | Original-Reel® |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Другие названия | TK50P04M1(T6RSSQ)DKR |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2600pF @ 10V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40V |
| Подробное описание | N-Channel 40V 50A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount DP |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 50A (Ta) |
