| Тип продуктов : | TK290A60Y,S4X |
|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Описание : | MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS |
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 46152 pcs |
| Спецификация | TK290A60Y,S4X.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 450µA |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-220SIS |
| Серии | DTMOSV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 5.8A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 35W (Tc) |
| упаковка | Tube |
| Упаковка / | TO-220-3 Full Pack |
| Другие названия | TK290A60Y,S4X(S TK290A60YS4X TK290A60YS4X(S |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 730pF @ 300V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600V |
| Подробное описание | N-Channel 600V 11.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11.5A (Tc) |
Toshiba Semiconductor and Storage
