Тип продуктов : | STD80N6F6 |
---|---|
Изготовитель / Производитель : | STMicroelectronics |
Описание : | MOSFET N-CH 60V DPAK |
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 38586 pcs |
Спецификация | STD80N6F6.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | DPAK |
Серии | DeepGATE™, STripFET™ VI |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 40A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 120W (Tc) |
упаковка | Original-Reel® |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Другие названия | 497-13942-6 |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 7480pF @ 25V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 122nC @ 10V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60V |
Подробное описание | N-Channel 60V 80A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount DPAK |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 80A (Tc) |