| Тип продуктов : | SI5513CDC-T1-GE3 |
|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Описание : | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 144369 pcs |
| Спецификация | SI5513CDC-T1-GE3.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Поставщик Упаковка устройства | 1206-8 ChipFET™ |
| Серии | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Мощность - Макс | 3.1W |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | 8-SMD, Flat Lead |
| Другие названия | SI5513CDC-T1-GE3TR SI5513CDCT1GE3 |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 285pF @ 10V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 4.2nC @ 5V |
| Тип FET | N and P-Channel |
| FET Характеристика | Logic Level Gate |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 20V |
| Подробное описание | Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A, 3.7A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4A, 3.7A |
| Номер базового номера | SI5513 |
Electro-Films (EFI) / Vishay
