Тип продуктов : | RN2318(TE85L,F) |
---|---|
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание : | TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 1306212 pcs |
Спецификация | RN2318(TE85L,F).pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Тип транзистор | PNP - Pre-Biased |
Поставщик Упаковка устройства | USM |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 10 kOhms |
Резистор - основание (R1) | 47 kOhms |
Мощность - Макс | 100mW |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | SC-70, SOT-323 |
Другие названия | RN2318(TE85LF) RN2318(TE85LF)-ND RN2318(TE85LF)TR RN2318TE85LF |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 16 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Частота - Переход | 200MHz |
Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Номер базового номера | RN231* |