| Тип продуктов : |
RN1909FE(TE85L,F) |
| Изготовитель / Производитель : |
Toshiba Semiconductor and Storage |
| Описание : |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Статус RoHS : |
Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии |
390171 pcs |
| Спецификация |
RN1909FE(TE85L,F).pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) |
50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic |
300mV @ 250µA, 5mA |
| Тип транзистор |
2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Поставщик Упаковка устройства |
ES6 |
| Серии |
- |
| Резистор - основание эмиттера (R2) |
22 kOhms |
| Резистор - основание (R1) |
47 kOhms |
| Мощность - Макс |
100mW |
| упаковка |
Cut Tape (CT) |
| Упаковка / |
SOT-563, SOT-666 |
| Другие названия |
RN1909FE(TE85LF)CT |
| Тип установки |
Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход |
250MHz |
| Подробное описание |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce |
70 @ 10mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) |
100nA (ICBO) |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) |
100mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
