Тип продуктов : | RN1406,LF |
---|---|
Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Описание : | TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI |
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 1582605 pcs |
Спецификация | RN1406,LF.pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Тип транзистор | NPN - Pre-Biased |
Поставщик Упаковка устройства | S-Mini |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 47 kOhms |
Резистор - основание (R1) | 4.7 kOhms |
Мощность - Макс | 200mW |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Другие названия | RN1406,LF(B RN1406,LF(T RN1406LFTR RN1406S,LF RN1406SLF RN1406SLFTR RN1406SLFTR-ND |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 12 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Частота - Переход | 250MHz |
Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Номер базового номера | RN140* |