| Тип продуктов : | PDTA115EM,315 |
|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | Nexperia |
| Описание : | TRANS PNP W/RES 50V SOT-883 |
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 748253 pcs |
| Спецификация | PDTA115EM,315.pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Тип транзистор | PNP - Pre-Biased |
| Поставщик Упаковка устройства | DFN1006-3 |
| Серии | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2) | 100 kOhms |
| Резистор - основание (R1) | 100 kOhms |
| Мощность - Макс | 250mW |
| упаковка | Cut Tape (CT) |
| Упаковка / | SC-101, SOT-883 |
| Другие названия | 1727-3010-1 568-2108-1 568-2108-1-ND |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 8 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 250mW Surface Mount DFN1006-3 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 1µA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 20mA |
| Номер базового номера | PDTA115 |
Nexperia
