| Тип продуктов : | NVMFS6H800NT1G |
|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание : | TRENCH 8 80V NFET |
| Статус RoHS : | |
| Кол-во в наличии | 21340 pcs |
| Спецификация | NVMFS6H800NT1G.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 330µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Серии | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 50A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Другие названия | NVMFS6H800NT1G-ND NVMFS6H800NT1GOSTR |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 42 Weeks |
| Свободный свинец | Lead free |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 5530pF @ 40V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 85nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 80V |
| Подробное описание | N-Channel 80V 28A (Ta), 203A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 28A (Ta), 203A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
