Тип продуктов : | NTD5865N-1G |
---|---|
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание : | MOSFET N-CH 60V 43A DPAK |
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 4566 pcs |
Спецификация | NTD5865N-1G.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | DPAK |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 20A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 71W (Tc) |
упаковка | Tube |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Другие названия | NTD5865N-1G-ND NTD5865N-1GOS |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1261pF @ 25V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60V |
Подробное описание | N-Channel 60V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount DPAK |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 43A (Tc) |