| Тип продуктов : |
NSBA114YDP6T5G |
| Изготовитель / Производитель : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание : |
TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 |
| Статус RoHS : |
Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии |
293708 pcs |
| Спецификация |
NSBA114YDP6T5G.pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) |
50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic |
250mV @ 300µA, 10mA |
| Тип транзистор |
2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Поставщик Упаковка устройства |
SOT-963 |
| Серии |
- |
| Резистор - основание эмиттера (R2) |
47 kOhms |
| Резистор - основание (R1) |
10 kOhms |
| Мощность - Макс |
408mW |
| упаковка |
Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / |
SOT-963 |
| Тип установки |
Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления |
7 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход |
- |
| Подробное описание |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 408mW Surface Mount SOT-963 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce |
80 @ 5mA, 10V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) |
500nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) |
100mA |
| Номер базового номера |
NSBA1* |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
