| Тип продуктов : | MUN5113DW1T1G |
|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | ON Semiconductor |
| Описание : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 1001518 pcs |
| Спецификация | MUN5113DW1T1G.pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 100mA |
| Напряжение - Разбивка | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 50V |
| Серии | - |
| Статус RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Резистор - Излучатель Base (R2) (Ом) | 47k |
| Резистор - Base (R1) (Ом) | - |
| Мощность - Макс | 250mW |
| поляризация | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Другие названия | MUN5113DW1T1G-ND MUN5113DW1T1GOSTR |
| Коэффициент шума (дБ Typ @ F) | 47k |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 10 Weeks |
| Номер детали производителя | MUN5113DW1T1G |
| Частота - Переход | 80 @ 5mA, 10V |
| Расширенное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Описание | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 500nA |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
ON Semiconductor
