Добро пожаловать на www.icgogogo.com

Выберите язык

  1. English
  2. 简体中文
  3. 繁体中文
  4. Deutsch
  5. Français
  6. русский
  7. 한국의
  8. español
  9. Galego
  10. Português
  11. Eesti Vabariik
  12. Беларусь
  13. íslenska
  14. polski
  15. Dansk
  16. Suomi
  17. Italia
  18. Maori
  19. Kongeriket
  20. Ελλάδα
  21. Nederland
  22. Cрпски
  23. românesc
  24. Svenska
  25. Čeština
  26. Slovenská
  27. Україна
  28. العربية
  29. Pilipino
  30. Tiếng Việt
  31. Melayu
  32. Монголулс
  33. සිංහල
  34. Indonesia
  35. हिंदी
Если вам нужен язык, пожалуйста, " свяжитесь с обслуживанием клиентов "

JANSR2N3440

Тип продуктов : JANSR2N3440
Изготовитель / Производитель : Microsemi
Описание : RH POWER BJT
Статус RoHS : RoHS несовместим
Кол-во в наличии 180 pcs
Спецификация JANSR2N3440.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 250V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 500mV @ 4mA, 50mA
Тип транзистор NPN
Поставщик Упаковка устройства TO-39
Серии Military, MIL-PRF-19500/368
Статус RoHS RoHS non-compliant
Упаковка / TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Рабочая Температура -65°C ~ 200°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Стандартное время изготовления 33 Weeks
Частота - Переход -
Подробное описание Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 1A Through Hole TO-39
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 20mA, 10V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 2µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 1A
Microsemi Изображения приведены только для справки. См. Спецификации продукта для информации о продукте.
Купить JANSR2N3440 с уверенностью от {Определить: Sys_Domain}, 1 год гарантии
Отправьте запрос для цитаты на количеством больше, чем отображаемые.
Целевая цена (USD):
Количество:
Всего:
$US 0.00

Соответствующая продукция

Процесс доставки