| Тип продуктов : | J112-D27Z |
|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание : | JFET N-CH 35V 625MW TO92 |
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 368575 pcs |
| Спецификация | J112-D27Z.pdf |
| Напряжение - Граничная (VGS выключен) @ Id | 1V @ 1µA |
| Напряжение - Разбивка (V (BR) GSS) | 35V |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-92-3 |
| Серии | - |
| Сопротивление - RDS (On) | 50 Ohms |
| Мощность - Макс | 625mW |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Другие названия | J112-D27ZTR J112_D27Z J112_D27Z-ND J112_D27ZTR J112_D27ZTR-ND |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 6 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | - |
| Тип FET | N-Channel |
| Подробное описание | JFET N-Channel 35V 625mW Through Hole TO-92-3 |
| Ток - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 5mA @ 15V |
| Номер базового номера | J112 |
