| Тип продуктов : | HN1C01FU-GR,LF |
|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Описание : | TRANS 2NPN 50V 0.15A US6 |
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 542691 pcs |
| Спецификация | HN1C01FU-GR,LF.pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Тип транзистор | 2 NPN (Dual) |
| Поставщик Упаковка устройства | US6 |
| Серии | - |
| Мощность - Макс | 200mW |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Другие названия | HN1C01FU-GR(L,F,T) HN1C01FU-GR,LF(B HN1C01FU-GR,LF(T HN1C01FU-GRLF HN1C01FU-GRLF-ND HN1C01FU-GRLFTR HN1C01FUGRLFT HN1C01FUGRLFTTR HN1C01FUGRLFTTR-ND |
| Рабочая Температура | 125°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 12 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход | 80MHz |
| Подробное описание | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 150mA |
Toshiba Semiconductor and Storage
