| Тип продуктов : | FQPF33N10L |
|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание : | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F |
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 54527 pcs |
| Спецификация | FQPF33N10L.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-220F |
| Серии | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 9A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 41W (Tc) |
| упаковка | Tube |
| Упаковка / | TO-220-3 Full Pack |
| Другие названия | FQPF33N10L-ND FQPF33N10LFS |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 5 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1630pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 40nC @ 5V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100V |
| Подробное описание | N-Channel 100V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 18A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
