| Тип продуктов : | FDT86106LZ |
|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание : | MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 |
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 55225 pcs |
| Спецификация | 1.FDT86106LZ.pdf2.FDT86106LZ.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | SOT-223-4 |
| Серии | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 108 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.2W (Ta) |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | TO-261-4, TO-261AA |
| Другие названия | FDT86106LZ-ND FDT86106LZTR |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 25 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 315pF @ 50V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100V |
| Подробное описание | N-Channel 100V 3.2A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3.2A (Ta) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
