| Тип продуктов : | FCP165N65S3R0 |
|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание : | SUPERFET3 650V TO220 PKG |
| Статус RoHS : | |
| Кол-во в наличии | 20466 pcs |
| Спецификация | FCP165N65S3R0.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.9mA |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-220-3 |
| Серии | SuperFET® III |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 154W (Tc) |
| упаковка | Tube |
| Упаковка / | TO-220-3 |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole |
| Свободный свинец | Lead free |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1500pF @ 400V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 650V |
| Подробное описание | N-Channel 650V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 19A (Tc) |
