| Тип продуктов : | FCI25N60N-F102 |
|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание : | MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK |
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 7649 pcs |
| Спецификация | FCI25N60N-F102.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | I2PAK (TO-262) |
| Серии | SupreMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 12.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 216W (Tc) |
| упаковка | Tube |
| Упаковка / | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Другие названия | FCI25N60N_F102 FCI25N60N_F102-ND |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3352pF @ 100V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 74nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600V |
| Подробное описание | N-Channel 600V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 25A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
