| Тип продуктов : |
EMB61T2R |
| Изготовитель / Производитель : |
LAPIS Semiconductor |
| Описание : |
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
| Статус RoHS : |
Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии |
626020 pcs |
| Спецификация |
1.EMB61T2R.pdf2.EMB61T2R.pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) |
50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic |
150mV @ 500µA, 5mA |
| Тип транзистор |
2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Поставщик Упаковка устройства |
EMT6 |
| Серии |
- |
| Резистор - основание эмиттера (R2) |
10 kOhms |
| Резистор - основание (R1) |
10 kOhms |
| Мощность - Макс |
150mW |
| упаковка |
Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / |
SOT-563, SOT-666 |
| Другие названия |
EMB61T2RTR |
| Тип установки |
Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления |
10 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход |
250MHz |
| Подробное описание |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce |
35 @ 5mA, 10V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) |
500nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) |
50mA |
LAPIS Semiconductor
