| Тип продуктов : | DTA115GKAT146 |
|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
| Описание : | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 |
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 715149 pcs |
| Спецификация | DTA115GKAT146.pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Тип транзистор | PNP - Pre-Biased |
| Поставщик Упаковка устройства | SMT3 |
| Серии | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2) | 100 kOhms |
| Мощность - Макс | 200mW |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход | 250MHz |
| Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA (ICBO) |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
| Номер базового номера | DTA115 |
LAPIS Semiconductor
