Тип продуктов : | BVSS123LT1G |
---|---|
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание : | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3 |
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 425201 pcs |
Спецификация | BVSS123LT1G.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | SOT-23-3 |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 100mA, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 225mW (Ta) |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Другие названия | BVSS123LT1G-ND BVSS123LT1GOSTR |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 40 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 20pF @ 25V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100V |
Подробное описание | N-Channel 100V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 170mA (Ta) |