Тип продуктов : | BS2100F-E2 |
---|---|
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
Описание : | IC DVR IGBT/MOSFET |
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 67430 pcs |
Спецификация | BS2100F-E2.pdf |
Напряжение тока - поставка | 10 V ~ 18 V |
Поставщик Упаковка устройства | 8-SOP |
Серии | - |
Время нарастания / спада (Typ) | 200ns, 100ns |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Другие названия | BS2100F-E2TR |
Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Количество водителей | 2 |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Логическое напряжение - VIL, VIH | 1V, 2.6V |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Тип ввода | Non-Inverting |
Со стороны высокого напряжения - Макс (Bootstrap) | 600V |
Тип ворот | N-Channel MOSFET |
Управляемая конфигурация | Half-Bridge |
Подробное описание | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOP |
Текущий - пиковый выход (источник, приемник) | 60mA, 130mA |
ток заряда | Independent |