| Тип продуктов : | BD159G |
|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание : | TRANS NPN 350V 0.5A TO-225 |
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 156856 pcs |
| Спецификация | BD159G.pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 350V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | - |
| Тип транзистор | NPN |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-225AA |
| Серии | - |
| Мощность - Макс | 20W |
| упаковка | Bulk |
| Упаковка / | TO-225AA, TO-126-3 |
| Другие названия | BD159G-ND BD159GOS |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 2 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход | - |
| Подробное описание | Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 500mA 20W Through Hole TO-225AA |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100µA (ICBO) |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 500mA |
| Номер базового номера | BD159 |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
