| Тип продуктов : | 2SD2661T100 |
|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
| Описание : | TRANS NPN 12V 2A MPT3 |
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 169171 pcs |
| Спецификация | 1.2SD2661T100.pdf2.2SD2661T100.pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 12V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 180mV @ 50mA, 1A |
| Тип транзистор | NPN |
| Поставщик Упаковка устройства | MPT3 |
| Серии | - |
| Мощность - Макс | 2W |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | TO-243AA |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 10 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход | 360MHz |
| Подробное описание | Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 2A 360MHz 2W Surface Mount MPT3 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 200mA, 2V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 2A |
LAPIS Semiconductor
